STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=55 V, 80 A, TO-252, 贴片安装, 3引脚, STD60N55F3
- RS 库存编号:
- 760-9929
- 制造商零件编号:
- STD60N55F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB58.31
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB11.662 | RMB58.31 |
| 50 - 245 | RMB9.444 | RMB47.22 |
| 250 - 395 | RMB7.886 | RMB39.43 |
| 400 - 795 | RMB7.51 | RMB37.55 |
| 800 + | RMB6.60 | RMB33.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 760-9929
- 制造商零件编号:
- STD60N55F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 系列 | STripFET F3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 33.5 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 6.2mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
系列 STripFET F3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 110 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 33.5 nC @ 10 V | ||
宽度 6.2mm | ||
长度 6.6mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.4mm | ||