STP3NK100Z , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=1000 V, 3针 TO-220封装
- RS 库存编号:
- 761-0118
- 制造商零件编号:
- STP3NK100Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB93.60
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RMB105.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB18.72 | RMB93.60 |
| 10 - 45 | RMB14.56 | RMB72.80 |
| 50 - 95 | RMB13.13 | RMB65.65 |
| 100 - 245 | RMB11.44 | RMB57.20 |
| 250 + | RMB10.466 | RMB52.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0118
- 制造商零件编号:
- STP3NK100Z
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 1000 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 90 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 601 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 39 ns | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 尺寸 | 10.4 x 4.6 x 15.75mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | MDmesh, SuperMESH | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 1000 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 90 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 601 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 39 ns | ||
宽度 4.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
尺寸 10.4 x 4.6 x 15.75mm | ||
长度 10.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 MDmesh, SuperMESH | ||
高度 15.75mm | ||