STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=620 V, 2.7 A, TO-251, 通孔安装, 3引脚, STU3N62K3
- RS 库存编号:
- 761-0231
- 制造商零件编号:
- STU3N62K3
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB27.26
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RMB30.805
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB5.452 | RMB27.26 |
| 25 - 70 | RMB5.212 | RMB26.06 |
| 75 - 145 | RMB5.108 | RMB25.54 |
| 150 - 295 | RMB4.718 | RMB23.59 |
| 300 + | RMB4.70 | RMB23.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0231
- 制造商零件编号:
- STU3N62K3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.7 A | |
| 最大漏源电压 | 620 V | |
| 系列 | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| 封装类型 | TO-251 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 45 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 高度 | 6.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.7 A | ||
最大漏源电压 620 V | ||
系列 MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
封装类型 TO-251 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4.5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 45 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V | ||
高度 6.9mm | ||