STU60N3LH5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 48 A, Vds=30 V, 3针 TO-251封装
- RS 库存编号:
- 761-0235P
- 制造商零件编号:
- STU60N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计 25 件 (按管提供)*
RMB90.70
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RMB102.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 70 | RMB3.628 |
| 75 - 145 | RMB3.264 |
| 150 - 295 | RMB2.834 |
| 300 + | RMB2.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0235P
- 制造商零件编号:
- STU60N3LH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 48 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11.4 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.8 nC @ 5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | STripFET V | |
| 典型接通延迟时间 | 6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.4 x 6.9mm | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 高度 | 6.9mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1350 pF@ 25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 48 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 11.4 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 IPAK (TO-251) | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 STripFET V | ||
典型接通延迟时间 6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.6mm | ||
尺寸 6.6 x 2.4 x 6.9mm | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
高度 6.9mm | ||
典型输入电容值@Vds 1350 pF@ 25 V | ||