STV240N75F3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 240 A, Vds=75 V, 10针 PowerSO-10封装
- RS 库存编号:
- 761-0253
- 制造商零件编号:
- STV240N75F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 件）*
RMB32.59
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 49 | RMB32.59 |
| 50 - 149 | RMB26.11 |
| 150 - 299 | RMB23.23 |
| 300 - 599 | RMB21.52 |
| 600 + | RMB19.27 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0253
- 制造商零件编号:
- STV240N75F3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 240 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | PowerSO | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 长度 | 9.6mm | |
| 尺寸 | 9.6 x 9.5 x 3.75mm | |
| 宽度 | 9.5mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 6800 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 3.75mm | |
| 系列 | STripFET F3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 240 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
最大漏源电阻值 2.6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 PowerSO | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 10 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
典型关断延迟时间 100 ns | ||
长度 9.6mm | ||
尺寸 9.6 x 9.5 x 3.75mm | ||
宽度 9.5mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 6800 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 25 ns | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 3.75mm | ||
系列 STripFET F3 | ||