STFW4N150 , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=1.5 kV, 3针 TO-3PF封装
- RS 库存编号:
- 761-0503
- 制造商零件编号:
- STFW4N150
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 件）*
RMB63.18
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB63.18 |
| 10 - 29 | RMB49.27 |
| 30 - 59 | RMB44.20 |
| 60 - 119 | RMB38.61 |
| 120 + | RMB35.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0503
- 制造商零件编号:
- STFW4N150
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 1500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7 Ω | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-3PF | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 63 W | |
| 宽度 | 5.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.7mm | |
| 尺寸 | 15.7 x 5.7 x 26.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 26.7mm | |
| 系列 | MDmesh | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 1500 V | ||
最大漏源电阻值 7 Ω | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-3PF | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 63 W | ||
宽度 5.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.7mm | ||
尺寸 15.7 x 5.7 x 26.7mm | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1300 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 45 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 26.7mm | ||
系列 MDmesh | ||