STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=75 V, 180 A, H2PAK, 贴片安装, 8引脚, STH240N75F3-6
- RS 库存编号:
- 761-0516P
- 制造商零件编号:
- STH240N75F3-6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 249 | RMB43.70 |
| 250 - 499 | RMB29.00 |
| 500 - 999 | RMB27.20 |
| 1000 + | RMB25.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0516P
- 制造商零件编号:
- STH240N75F3-6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 封装类型 | H2PAK | |
| 系列 | STripFET F3 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 15.25mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 75 V | ||
封装类型 H2PAK | ||
系列 STripFET F3 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 10.4mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 15.25mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.8mm | ||