STH260N6F6-2 , N沟道 MOSFET 晶体管, 180 A, Vds=60 V, 3针 H2PAK-2封装
- RS 库存编号:
- 761-0525P
- 制造商零件编号:
- STH260N6F6-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 5 件 (按连续条带形式提供)*
RMB144.50
(不含税)
RMB163.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 249 | RMB28.90 |
| 250 - 499 | RMB27.52 |
| 500 - 999 | RMB26.20 |
| 1000 + | RMB21.69 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0525P
- 制造商零件编号:
- STH260N6F6-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 典型关断延迟时间 | 144.4 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 10.4mm | |
| 尺寸 | 15.8 x 10.4 x 4.8mm | |
| 典型接通延迟时间 | 31.4 ns | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 系列 | DeepGate, STripFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 11400 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 183 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 180 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 2 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
高度 4.8mm | ||
典型关断延迟时间 144.4 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 10.4mm | ||
尺寸 15.8 x 10.4 x 4.8mm | ||
典型接通延迟时间 31.4 ns | ||
长度 15.8mm | ||
系列 DeepGate, STripFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 11400 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 183 nC @ 10 V | ||