STL18NM60N , N沟道 MOSFET 晶体管, 12 A, Vds=600 V, 3针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 761-0569P
- 制造商零件编号:
- STL18NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB1,079.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 249 | RMB19.11 |
| 250 - 749 | RMB18.20 |
| 750 - 1499 | RMB17.33 |
| 1500 + | RMB16.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0569P
- 制造商零件编号:
- STL18NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 310 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 110 W | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 宽度 | 8mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ 50 V | |
| 长度 | 8mm | |
| 尺寸 | 8 x 8 x 0.95mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 系列 | MDmesh | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 12 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 310 mΩ | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 110 W | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||
宽度 8mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 50 V | ||
长度 8mm | ||
尺寸 8 x 8 x 0.95mm | ||
高度 0.95mm | ||
系列 MDmesh | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 35 nC @ 10 V | ||
