STL40DN3LLH5, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=30 V, 8针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 761-0578
- 制造商零件编号:
- STL40DN3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB37.81
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB7.562 | RMB37.81 |
| 50 - 245 | RMB5.852 | RMB29.26 |
| 250 - 745 | RMB4.466 | RMB22.33 |
| 750 - 1495 | RMB4.232 | RMB21.16 |
| 1500 + | RMB3.768 | RMB18.84 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-0578
- 制造商零件编号:
- STL40DN3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 40 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -22 V、+22 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 475 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 宽度 | 5.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 4 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 13 ns | |
| 系列 | STripFET | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.75mm | |
| 尺寸 | 4.75 x 5.75 x 0.85mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 40 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
最大栅源电压 -22 V、+22 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
典型输入电容值@Vds 475 pF @ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 4.5 nC @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
宽度 5.75mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 4 ns | ||
典型关断延迟时间 13 ns | ||
系列 STripFET | ||
高度 0.85mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.75mm | ||
尺寸 4.75 x 5.75 x 0.85mm | ||
