STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 11 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚, STF13NM60N
- RS 库存编号:
- 761-2751
- 制造商零件编号:
- STF13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB22.31 |
| 10 - 49 | RMB18.85 |
| 50 - 99 | RMB17.95 |
| 100 - 249 | RMB15.93 |
| 250 + | RMB14.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-2751
- 制造商零件编号:
- STF13NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 360 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 25 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 11 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
封装类型 TO-220FP | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 360 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 25 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
宽度 4.6mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 10.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 16.4mm | ||
采用 TO-220FP 封装，N 沟道 600 V 280 mOhm（典型值），11 A MDmesh II 功率 MOSFET
这些器件是采用第二代 MDmesh 工艺开发的 N 沟道功率 MOSFET。这些革命性的功率 MOSFET 将垂直结构与公司的条带布局关联起来，提供全球最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为苛刻的高效转换器。
所有功能
- 100% 通过雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻