STF26NM60N , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装
- RS 库存编号:
- 761-2792P
- 制造商零件编号:
- STF26NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB258.70
(不含税)
RMB292.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB25.87 |
| 50 - 99 | RMB23.27 |
| 100 - 249 | RMB20.28 |
| 250 + | RMB18.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-2792P
- 制造商零件编号:
- STF26NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 600 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 | |
| 最大功耗 Pd | 35 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 60 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.3 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 16.4 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.4 | |
| 宽度 | 4.6 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 600 | ||
系列 MDmesh | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 25 | ||
最大功耗 Pd 35 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 60 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.3 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 16.4 | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.4 | ||
宽度 4.6 | ||
汽车标准 否 | ||