STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET管, Vds=650 V, 24 A, TO-220FP, 通孔安装, 3引脚, STF32N65M5
- RS 库存编号:
- 761-2811P
- 制造商零件编号:
- STF32N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 10 件 (按管提供)*
RMB500.50
(不含税)
RMB565.60
(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB50.05 |
| 50 - 99 | RMB45.56 |
| 100 - 249 | RMB41.08 |
| 250 + | RMB37.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-2811P
- 制造商零件编号:
- STF32N65M5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 系列 | MDmesh M5 | |
| 封装类型 | TO-220FP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 119 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 35 W | |
| 最大栅源电压 | -25 V, +25 V | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 72 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
系列 MDmesh M5 | ||
封装类型 TO-220FP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 119 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 35 W | ||
最大栅源电压 -25 V, +25 V | ||
宽度 4.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.4mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 72 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 16.4mm | ||