STF4N52K3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=525 V, 3针 TO-252封装

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

2.5 A

最大漏源电压

525 V

最大漏源电阻值

2.6 Ω

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

TO-252

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

45 W

典型输入电容值@Vds

334 pF @ 100 V

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 10 V

宽度

6.6mm

每片芯片元件数目

1

典型接通延迟时间

8 ns

典型关断延迟时间

21 ns

高度

2.4mm

尺寸

7 x 6.6 x 2.4mm

长度

7mm

最高工作温度

+150 °C

系列

MDmesh K3, SuperMESH3