STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 6.5 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, STF9NM60N, MDmesh系列
- RS 库存编号:
- 761-2868
- 制造商零件编号:
- STF9NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
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RMB67.29
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB13.458 | RMB67.29 |
| 10 - 45 | RMB10.532 | RMB52.66 |
| 50 - 95 | RMB9.422 | RMB47.11 |
| 100 - 245 | RMB8.252 | RMB41.26 |
| 250 + | RMB7.55 | RMB37.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-2868
- 制造商零件编号:
- STF9NM60N
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | MDmesh | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 745mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 17.4nC | |
| 最大功耗 Pd | 25W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 MDmesh | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 745mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 17.4nC | ||
最大功耗 Pd 25W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 16.4mm | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||