STL65N3LLH5 , N沟道 MOSFET 晶体管, 65 A, Vds=30 V, 8针 PowerFLAT封装
- RS 库存编号:
- 761-2880P
- 制造商零件编号:
- STL65N3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 245 | RMB8.70 |
| 250 - 495 | RMB6.90 |
| 500 - 995 | RMB6.10 |
| 1000 + | RMB5.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-2880P
- 制造商零件编号:
- STL65N3LLH5
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 65 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -22 V、+22 V | |
| 封装类型 | PowerFLAT | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 60 W | |
| 宽度 | 5.75mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1500 pF @ 25 V | |
| 高度 | 0.88mm | |
| 系列 | STripFET V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.75mm | |
| 尺寸 | 4.75 x 5.75 x 0.88mm | |
| 典型接通延迟时间 | 9.3 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 22.7 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 65 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 7.5 mΩ | ||
最大栅源电压 -22 V、+22 V | ||
封装类型 PowerFLAT | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 60 W | ||
宽度 5.75mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 1500 pF @ 25 V | ||
高度 0.88mm | ||
系列 STripFET V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.75mm | ||
尺寸 4.75 x 5.75 x 0.88mm | ||
典型接通延迟时间 9.3 ns | ||
典型关断延迟时间 22.7 ns | ||