onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 115 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, 2N7002DW
- RS 库存编号:
- 761-3571P
- 制造商零件编号:
- 2N7002DW
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计 250 件 (以卷装提供)*
RMB158.00
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RMB178.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 450 | RMB0.632 |
| 500 - 1450 | RMB0.527 |
| 1500 - 2950 | RMB0.457 |
| 3000 + | RMB0.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-3571P
- 制造商零件编号:
- 2N7002DW
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-363 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 115 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-363 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 13.5 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
2N7002DW 是双 N 通道通用 MOSFET 。它具有低接通电阻和低门阈值电压。它还具有快速切换速度，并提供超小型表面安装封装。此双 N 通道 MOSFET 通常用于所有通用应用，但通常用于电机控制和 PMF （电源管理功能）。
特点和优势：
•双 N 通道
•低接通电阻
•低门阈值
•快速切换速度
•低输入和输出泄漏
•低接通电阻
•低门阈值
•快速切换速度
•低输入和输出泄漏