onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7.5 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, NDT456P
- RS 库存编号:
- 761-3971
- 制造商零件编号:
- NDT456P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB10.884 | RMB54.42 |
| 50 - 245 | RMB8.444 | RMB42.22 |
| 250 - 495 | RMB6.694 | RMB33.47 |
| 500 - 2495 | RMB6.118 | RMB30.59 |
| 2500 + | RMB5.438 | RMB27.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-3971
- 制造商零件编号:
- NDT456P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 54 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 54 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 3 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V | ||
宽度 3.7mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 6.7mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最低工作温度 -65 °C | ||
高度 1.7mm | ||