FDC6506P, 双 P沟道 MOSFET 晶体管, 1.8 A, Vds=-30 V, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 761-4417
- 制造商零件编号:
- FDC6506P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB25.21
(不含税)
RMB28.49
(含税)
有库存
- 另外 140 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB2.521 | RMB25.21 |
| 100 - 490 | RMB1.716 | RMB17.16 |
| 500 - 990 | RMB1.668 | RMB16.68 |
| 1000 - 2990 | RMB1.336 | RMB13.36 |
| 3000 + | RMB1.31 | RMB13.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-4417
- 制造商零件编号:
- FDC6506P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 280 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 960 mW | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.3 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 190 pF @ -15 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 280 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 960 mW | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 1mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.7mm | ||
长度 3mm | ||
尺寸 3 x 1.7 x 1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 2.3 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 190 pF @ -15 V | ||
典型关断延迟时间 14 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- US