onsemi N/P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 340 mA，510 mA, SOT-23, 贴片安装, 6引脚, NDC7001C
- RS 库存编号:
- 761-4574P
- 制造商零件编号:
- NDC7001C
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB182.40
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RMB206.10
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 490 | RMB1.824 |
| 500 - 990 | RMB1.757 |
| 1000 - 2990 | RMB1.328 |
| 3000 + | RMB1.184 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-4574P
- 制造商零件编号:
- NDC7001C
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 340 mA，510 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻值 | 4 Ω, 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 960 mW | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 10 V，1.6 nC @ 10 V | |
| 长度 | 3mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 340 mA，510 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻值 4 Ω, 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 960 mW | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.1 nC @ 10 V，1.6 nC @ 10 V | ||
长度 3mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
NDC7001C 是一款采用半导体 DMOS 技术的双路 N 和 P 通道 MOSFET 。DMOS 可确保快速切换，可靠性和通态电阻。这些 MOSFET 采用 SOT-23 封装，有 6 个引脚。
特点和优势：
* DMOS 技术
•高饱和度电流
•高密度电池设计
•铜导线框架，提供卓越的热和电气性能
•高饱和度电流
•高密度电池设计
•铜导线框架，提供卓越的热和电气性能
NDC7001C MOSFET 非常适合；
•低电压
•低电流
•切换
•电源
•低电流
•切换
•电源