FDC6561AN, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=30 V, 6针 SuperSOT封装
- RS 库存编号:
- 761-9838
- 制造商零件编号:
- FDC6561AN
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB2.424 | RMB24.24 |
| 100 - 490 | RMB1.643 | RMB16.43 |
| 500 - 990 | RMB1.605 | RMB16.05 |
| 1000 - 2990 | RMB1.197 | RMB11.97 |
| 3000 + | RMB1.139 | RMB11.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 761-9838
- 制造商零件编号:
- FDC6561AN
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.5 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 960 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 0.78 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.3 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1 | |
| 宽度 | 1.7 | |
| 长度 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.5 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 960 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 0.78 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.3 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1 | ||
宽度 1.7 | ||
长度 3 | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US