VS-FB190SA10 , N沟道 MOSFET 晶体管, 190 A, Vds=100 V, 4针 SOT-227封装
- RS 库存编号:
- 762-0153
- 制造商零件编号:
- VS-FB190SA10
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB191.30 |
| 5 - 9 | RMB187.54 |
| 10 - 24 | RMB162.65 |
| 25 - 49 | RMB159.46 |
| 50 + | RMB159.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-0153
- 制造商零件编号:
- VS-FB190SA10
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 190 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.5 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 568 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 45 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 25.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 181 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 10700 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 250 nC @ 10 V | |
| 高度 | 12.3mm | |
| 长度 | 38.3mm | |
| 尺寸 | 38.3 x 25.7 x 12.3mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 190 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 6.5 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-227 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 568 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 45 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 25.7mm | ||
典型关断延迟时间 181 ns | ||
典型输入电容值@Vds 10700 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 250 nC @ 10 V | ||
高度 12.3mm | ||
长度 38.3mm | ||
尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- PH