SiHG47N60E-GE3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 47 A, Vds=600 V, 3针 TO247AC封装

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768-9332
制造商零件编号:
SiHG47N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

47

最大漏源电压 Vd

600

包装类型

TO-247

系列

E

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

147

最低工作温度

-55

最大栅源电压 Vgs

20

最大功耗 Pd

357

正向电压 Vf

1.2

最高工作温度

150

标准/认证

No

宽度

5.31

长度

15.87

高度

20.7

汽车标准