SIHP22N60E-E3 , N沟道 MOSFET 晶体管, 21 A, Vds=600 V, 3针 TO220AB封装
- RS 库存编号:
- 768-9341P
- 制造商零件编号:
- SIHP22N60E-E3
- 制造商:
- Vishay
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小计 25 件 (按管提供)*
RMB797.50
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RMB901.25
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 249 | RMB31.90 |
| 250 - 499 | RMB29.10 |
| 500 - 999 | RMB26.60 |
| 1000 + | RMB24.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 768-9341P
- 制造商零件编号:
- SIHP22N60E-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V, +20 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 227 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 典型关断延迟时间 | 59 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1920 pF @ 100 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 10.51 x 4.65 x 15.49mm | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 高度 | 15.49mm | |
| 系列 | E Series | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V, +20 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 227 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.65mm | ||
典型关断延迟时间 59 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1920 pF @ 100 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 57 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm | ||
长度 10.51mm | ||
高度 15.49mm | ||
系列 E Series | ||
最高工作温度 +150 °C | ||