DMN21D2UFB-7B , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.76 A, Vds=20 V, 3针 X1-DFN1006封装
- RS 库存编号:
- 770-5119P
- 制造商零件编号:
- DMN21D2UFB-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 1200 | RMB0.82 |
| 1250 - 4950 | RMB0.74 |
| 5000 - 9950 | RMB0.64 |
| 10000 + | RMB0.59 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5119P
- 制造商零件编号:
- DMN21D2UFB-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 760 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3 Ω | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | X1-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 宽度 | 0.675mm | |
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 19.6 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 27.6 pF @ 16 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.93 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 0.48mm | |
| 长度 | 1.08mm | |
| 尺寸 | 1.075 x 0.675 x 0.48mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 760 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 3 Ω | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 X1-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
宽度 0.675mm | ||
典型接通延迟时间 3.5 ns | ||
典型关断延迟时间 19.6 ns | ||
典型输入电容值@Vds 27.6 pF @ 16 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.93 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 0.48mm | ||
长度 1.08mm | ||
尺寸 1.075 x 0.675 x 0.48mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN