DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2400UFB4-7, 750 mA, Vds=20 V, 3针 DFN-1006封装
- RS 库存编号:
- 770-5121
- 制造商零件编号:
- DMN2400UFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB0.603 | RMB30.15 |
| 250 - 700 | RMB0.468 | RMB23.40 |
| 750 - 1450 | RMB0.423 | RMB21.15 |
| 1500 - 2950 | RMB0.369 | RMB18.45 |
| 3000 + | RMB0.342 | RMB17.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5121
- 制造商零件编号:
- DMN2400UFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 750 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 900 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | X1-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 470 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.11 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 36 pF @ 16 V | |
| 典型关断延迟时间 | 14.8 ns | |
| 长度 | 1.08mm | |
| 尺寸 | 1.075 x 0.675 x 0.35mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.675mm | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 750 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 900 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 X1-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 470 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.11 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 36 pF @ 16 V | ||
典型关断延迟时间 14.8 ns | ||
长度 1.08mm | ||
尺寸 1.075 x 0.675 x 0.35mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.675mm | ||
高度 0.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN