DMN2500UFB4-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 1 A, Vds=20 V, 3针 X2-DFN1006封装
- RS 库存编号:
- 770-5125P
- 制造商零件编号:
- DMN2500UFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 250 - 1450 | RMB0.65 |
| 1500 - 2950 | RMB0.58 |
| 3000 - 5950 | RMB0.51 |
| 6000 + | RMB0.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5125P
- 制造商零件编号:
- DMN2500UFB4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 700 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -6 V、+6 V | |
| 封装类型 | X2-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 950 mW | |
| 典型关断延迟时间 | 26.7 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 5.1 ns | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.65 x 0.35mm | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 736.6 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 60.67 pF @ 16 V | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 700 mΩ | ||
最大栅源电压 -6 V、+6 V | ||
封装类型 X2-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 950 mW | ||
典型关断延迟时间 26.7 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 5.1 ns | ||
尺寸 1.05 x 0.65 x 0.35mm | ||
长度 1.05mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 736.6 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 60.67 pF @ 16 V | ||
高度 0.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 0.65mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW