DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 7.3 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, DMN3018SSS-13
- RS 库存编号:
- 770-5134P
- 制造商零件编号:
- DMN3018SSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计 125 件 (按连续条带形式提供)*
RMB193.375
(不含税)
RMB218.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 600 | RMB1.547 |
| 625 - 2475 | RMB1.391 |
| 2500 - 4975 | RMB1.209 |
| 5000 + | RMB1.118 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5134P
- 制造商零件编号:
- DMN3018SSS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 7.3 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 35 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.1V | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 13.2 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 7.3 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 35 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.1V | ||
最大功率耗散 1.7 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
长度 4.95mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 13.2 nC @ 10 V | ||
宽度 3.95mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 1.5mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN