DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP21D0UFB4-7B, 1.17 A, Vds=20 V, 3针 X2-DFN1006封装
- RS 库存编号:
- 770-5162
- 制造商零件编号:
- DMP21D0UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB60.65
(不含税)
RMB68.55
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | RMB1.213 | RMB60.65 |
| 500 - 2450 | RMB1.155 | RMB57.75 |
| 2500 - 4950 | RMB1.10 | RMB55.00 |
| 5000 - 9950 | RMB1.048 | RMB52.40 |
| 10000 + | RMB1.035 | RMB51.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5162
- 制造商零件编号:
- DMP21D0UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 1.17 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 960 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | X2-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 990 mW | |
| 典型输入电容值@Vds | 76.5 pF @ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.5 nC @ 8 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 31.7 ns | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.65 x 0.35mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 7.1 ns | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 1.17 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 960 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 X2-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 990 mW | ||
典型输入电容值@Vds 76.5 pF @ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.5 nC @ 8 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 31.7 ns | ||
尺寸 1.05 x 0.65 x 0.35mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 0.65mm | ||
长度 1.05mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 7.1 ns | ||
高度 0.35mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN