达尔 P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 650 mA, SOT-523 (SC-89), 贴片安装, 3引脚, DMP21D0UT-7
- RS 库存编号:
- 770-5165
- 制造商零件编号:
- DMP21D0UT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB60.15
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.203 | RMB60.15 |
| 250 - 1200 | RMB1.145 | RMB57.25 |
| 1250 - 2950 | RMB1.09 | RMB54.50 |
| 3000 - 5950 | RMB1.038 | RMB51.90 |
| 6000 + | RMB0.988 | RMB49.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5165
- 制造商零件编号:
- DMP21D0UT-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 650 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | SOT-523 (SC-89) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 960 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 330 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.5 nC @ 8 V | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 650 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 SOT-523 (SC-89) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 960 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 330 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.5 nC @ 8 V | ||
宽度 0.85mm | ||
长度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 0.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN