DMP31D0UFB4-7B , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.76 A, Vds=-30 V, 3针 X2-DFN1006封装
- RS 库存编号:
- 770-5171P
- 制造商零件编号:
- DMP31D0UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
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RMB192.50
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 600 | RMB1.36 |
| 625 - 2475 | RMB1.22 |
| 2500 - 4975 | RMB1.06 |
| 5000 + | RMB0.97 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5171P
- 制造商零件编号:
- DMP31D0UFB4-7B
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 760 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | X2-DFN1006 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 920 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 典型关断延迟时间 | 35.71 ns | |
| 长度 | 1.08mm | |
| 尺寸 | 1.075 x 0.675 x 0.35mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 4.98 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.5 nC @ 8 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 76 pF @ -15 V | |
| 宽度 | 0.675mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 760 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 2 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 X2-DFN1006 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 920 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.35mm | ||
典型关断延迟时间 35.71 ns | ||
长度 1.08mm | ||
尺寸 1.075 x 0.675 x 0.35mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 4.98 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.5 nC @ 8 V | ||
典型输入电容值@Vds 76 pF @ -15 V | ||
宽度 0.675mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN