DMN2400UFB-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.75 A, Vds=20 V, 3针 X1-DFN1006封装

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Packaging Options:
RS 库存编号:
770-5272
制造商零件编号:
DMN2400UFB-7
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

通道类型

N

最大连续漏极电流

750 mA

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

900 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

X1-DFN1006

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

470 mW

典型接通延迟时间

4.11 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds

36 pF @ 16 V

典型关断延迟时间

14.8 ns

每片芯片元件数目

1

宽度

0.675mm

高度

0.48mm

最高工作温度

+150 °C

长度

1.08mm

尺寸

1.075 x 0.675 x 0.48mm

COO (Country of Origin):
CN