DMN2015UFDE-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 10.5 A, Vds=20 V, 6针 U-DFN2020封装

品牌

DiodesZetex

通道类型

N

最大连续漏极电流

10.5 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

50 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

U-DFN2020

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.03 W

每片芯片元件数目

1

尺寸

2.05 x 2.05 x 0.58mm

典型输入电容值@Vds

1779 pF @ 10 V

典型接通延迟时间

7.4 ns

最低工作温度

-55 °C

宽度

2.05mm

典型栅极电荷@Vgs

45.6 nC @ 10 V

典型关断延迟时间

43.6 ns

高度

0.58mm

最高工作温度

+150 °C

长度

2.05mm