DMN6040SFDE-7 , N沟道 MOSFET 晶体管, 5.3 A, Vds=60 V, 6针 U-DFN2020封装
- RS 库存编号:
- 770-5285P
- 制造商零件编号:
- DMN6040SFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 240 | RMB2.50 |
| 250 - 990 | RMB2.24 |
| 1000 - 2990 | RMB1.95 |
| 3000 + | RMB1.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 770-5285P
- 制造商零件编号:
- DMN6040SFDE-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.3 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 47 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | U-DFN2020 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.03 W | |
| 长度 | 2.05mm | |
| 尺寸 | 2.05 x 2.05 x 0.58mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6.6 ns | |
| 高度 | 0.58mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 1287 pF@ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22.4 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20.1 ns | |
| 宽度 | 2.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.3 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 47 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 U-DFN2020 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.03 W | ||
长度 2.05mm | ||
尺寸 2.05 x 2.05 x 0.58mm | ||
典型接通延迟时间 6.6 ns | ||
高度 0.58mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 1287 pF@ 25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 22.4 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 20.1 ns | ||
宽度 2.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN