FMW79N60S1HF , N沟道 MOSFET 晶体管, 68 A, Vds=600 V, 3针 TO-247封装
- RS 库存编号:
- 772-9010
- 制造商零件编号:
- FMW79N60S1HF
- 制造商:
- Fuji
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB150.49
(不含税)
RMB170.05
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB150.49 |
| 5 - 14 | RMB143.92 |
| 15 - 29 | RMB133.66 |
| 30 - 59 | RMB124.10 |
| 60 + | RMB118.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9010
- 制造商零件编号:
- FMW79N60S1HF
- 制造商:
- Fuji
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fuji | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 68 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 545 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 15.9 x 5.03 x 20.95mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 107 ns | |
| 宽度 | 5.03mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 203 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 7000 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 199 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 20.95mm | |
| 系列 | Super J-MOS | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fuji | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 68 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 545 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 15.9 x 5.03 x 20.95mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 107 ns | ||
宽度 5.03mm | ||
长度 15.9mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 203 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 7000 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 199 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 20.95mm | ||
系列 Super J-MOS | ||
- COO (Country of Origin):
- JP