onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 10.2 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FCP380N60E
- RS 库存编号:
- 772-9109
- 制造商零件编号:
- FCP380N60E
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB58.60
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RMB66.22
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB29.30 | RMB58.60 |
| 10 - 48 | RMB21.70 | RMB43.40 |
| 50 - 98 | RMB17.90 | RMB35.80 |
| 100 - 398 | RMB15.80 | RMB31.60 |
| 400 + | RMB14.10 | RMB28.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9109
- 制造商零件编号:
- FCP380N60E
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10.2 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 106 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.4mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10.2 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
系列 SuperFET II | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 106 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.67mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
宽度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN