FCPF380N60 , N沟道 MOSFET 晶体管, 10.2 A, Vds=600 V, 3针 TO-220F封装
- RS 库存编号:
- 772-9111
- 制造商零件编号:
- FCPF380N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
RMB46.88
(不含税)
RMB52.98
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB23.44 | RMB46.88 |
| 10 - 48 | RMB18.70 | RMB37.40 |
| 50 - 98 | RMB16.70 | RMB33.40 |
| 100 - 198 | RMB15.855 | RMB31.71 |
| 200 + | RMB15.10 | RMB30.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9111
- 制造商零件编号:
- FCPF380N60
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10.2 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | TO-220F | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 31 W | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 9.19mm | |
| 系列 | SuperFET II | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.9 x 16.07mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1250 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 44 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10.2 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 TO-220F | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 31 W | ||
宽度 4.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 9.19mm | ||
系列 SuperFET II | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 10.36mm | ||
尺寸 10.36 x 4.9 x 16.07mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1250 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 44 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN