onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 5.5 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, FDD86113LZ
- RS 库存编号:
- 772-9130
- 制造商零件编号:
- FDD86113LZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB69.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB6.92 | RMB69.20 |
| 50 - 240 | RMB6.319 | RMB63.19 |
| 250 - 490 | RMB5.024 | RMB50.24 |
| 500 - 990 | RMB4.582 | RMB45.82 |
| 1000 + | RMB3.501 | RMB35.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9130
- 制造商零件编号:
- FDD86113LZ
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 5.5 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 29 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 3.7 nC @ 10 V | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 5.5 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 170 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 29 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
宽度 6.22mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 3.7 nC @ 10 V | ||
长度 6.73mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 2.39mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN