FDPC8011S, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A，60 A, Vds=25 V, 8针 Power 33封装
- RS 库存编号:
- 772-9216P
- 制造商零件编号:
- FDPC8011S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB16.50 |
| 50 - 98 | RMB16.00 |
| 100 - 198 | RMB13.50 |
| 200 + | RMB13.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9216P
- 制造商零件编号:
- FDPC8011S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A，60 A | |
| 最大漏源电压 | 25 V | |
| 最大漏源电阻值 | 2.4 mΩ，7.3 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | Power 33 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W，2 W | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC @ 10 V，64 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 尺寸 | 3.4 x 3.4 x 0.8mm | |
| 典型接通延迟时间 | 7 ns, 13 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1240 pF @ 13 V，4335 pF @ 13 V | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns，38 ns | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A，60 A | ||
最大漏源电压 25 V | ||
最大漏源电阻值 2.4 mΩ，7.3 mΩ | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 Power 33 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.6 W，2 W | ||
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V，64 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.8mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.4mm | ||
尺寸 3.4 x 3.4 x 0.8mm | ||
典型接通延迟时间 7 ns, 13 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1240 pF @ 13 V，4335 pF @ 13 V | ||
典型关断延迟时间 20 ns，38 ns | ||
宽度 3.4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||