FDMS86500DC , N沟道 MOSFET 晶体管, 108 A, Vds=60 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 772-9219
- 制造商零件编号:
- FDMS86500DC
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 3 件）*
RMB48.00
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 3 - 12 | RMB16.00 | RMB48.00 |
| 15 - 72 | RMB15.00 | RMB45.00 |
| 75 - 147 | RMB14.00 | RMB42.00 |
| 150 - 297 | RMB13.00 | RMB39.00 |
| 300 + | RMB11.00 | RMB33.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 772-9219
- 制造商零件编号:
- FDMS86500DC
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 108 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.7 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 34 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5775 pF@ 30 V | |
| 宽度 | 5.85mm | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 尺寸 | 5.1 x 5.85 x 1.05mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 108 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 3.7 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 125 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 34 ns | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 76 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 5775 pF@ 30 V | ||
宽度 5.85mm | ||
长度 5.1mm | ||
尺寸 5.1 x 5.85 x 1.05mm | ||
系列 PowerTrench | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN