onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 18 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, NTD18N06LT4G
- RS 库存编号:
- 773-7875P
- 制造商零件编号:
- NTD18N06LT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 245 | RMB3.224 |
| 250 - 495 | RMB3.15 |
| 500 - 995 | RMB3.00 |
| 1000 + | RMB2.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 773-7875P
- 制造商零件编号:
- NTD18N06LT4G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 系列 | NTD18N06L | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 55 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 | |
| 正向电压 Vf | 1.6 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 高度 | 2.38 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 18 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 DPAK | ||
系列 NTD18N06L | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 55 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11 | ||
最大栅源电压 Vgs 15 | ||
正向电压 Vf 1.6 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 6.73 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.22 | ||
高度 2.38 | ||
汽车标准 否 | ||