3LN01M-TL-E , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.15 A, Vds=30 V, 3针 MCP封装
- RS 库存编号:
- 774-0783
- 制造商零件编号:
- 3LN01M-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB1.217 | RMB30.43 |
| 100 - 225 | RMB0.758 | RMB18.95 |
| 250 - 475 | RMB0.738 | RMB18.45 |
| 500 - 975 | RMB0.656 | RMB16.40 |
| 1000 + | RMB0.581 | RMB14.53 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0783
- 制造商零件编号:
- 3LN01M-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 150 mA | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12.8 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | MCP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.58 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 7 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 155 ns | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 150 mA | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 12.8 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.3V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 MCP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.58 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 7 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 155 ns | ||
高度 0.9mm | ||
典型接通延迟时间 19 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.25mm | ||