5LP01SS-TL-E , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.07 A, Vds=-50 V, 3针 SSFP封装
- RS 库存编号:
- 774-0799
- 制造商零件编号:
- 5LP01SS-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB40.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB1.62 | RMB40.50 |
| 100 - 225 | RMB1.44 | RMB36.00 |
| 250 - 475 | RMB1.26 | RMB31.50 |
| 500 - 975 | RMB1.08 | RMB27.00 |
| 1000 + | RMB0.928 | RMB23.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0799
- 制造商零件编号:
- 5LP01SS-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 70 mA | |
| 最大漏源电压 | 50 V | |
| 最大漏源电阻值 | 60 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | SSFP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 mW | |
| 长度 | 1.4mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.4 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1.4 x 0.8 x 0.6mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 7.4 pF @ -10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.8mm | |
| 典型关断延迟时间 | 160 ns | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 70 mA | ||
最大漏源电压 50 V | ||
最大漏源电阻值 60 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 SSFP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 mW | ||
长度 1.4mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.4 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1.4 x 0.8 x 0.6mm | ||
典型输入电容值@Vds 7.4 pF @ -10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.8mm | ||
典型关断延迟时间 160 ns | ||
高度 0.6mm | ||