CPH6442-TL-E , N沟道 MOSFET 晶体管, 6 A, Vds=60 V, 6针 CPH 6封装
- RS 库存编号:
- 774-0815
- 制造商零件编号:
- CPH6442-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB21.27
(不含税)
RMB24.035
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 95 | RMB4.254 | RMB21.27 |
| 100 - 245 | RMB2.06 | RMB10.30 |
| 250 - 495 | RMB2.018 | RMB10.09 |
| 500 - 995 | RMB1.978 | RMB9.89 |
| 1000 + | RMB1.528 | RMB7.64 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0815
- 制造商零件编号:
- CPH6442-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 6 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | CPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.6 W | |
| 典型关断延迟时间 | 80 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.6 x 0.9mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 1040 pF @ 20 V | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.9mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 6 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 CPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.6 W | ||
典型关断延迟时间 80 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 1040 pF @ 20 V | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.9mm | ||
长度 2.9mm | ||