MCH6341-TL-E , P沟道 MOSFET 晶体管, 5 A, Vds=-30 V, 6针 MCPH 6封装
- RS 库存编号:
- 774-0821
- 制造商零件编号:
- MCH6341-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
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小计（1 包，共 10 件）*
RMB20.61
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | RMB2.061 | RMB20.61 |
| 100 - 240 | RMB1.432 | RMB14.32 |
| 250 - 490 | RMB1.363 | RMB13.63 |
| 500 - 990 | RMB1.298 | RMB12.98 |
| 1000 + | RMB1.003 | RMB10.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-0821
- 制造商零件编号:
- MCH6341-TL-E
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 115 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | MCPH | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 宽度 | 1.6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.85mm | |
| 典型关断延迟时间 | 45 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 430 pF @ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 2 x 1.6 x 0.85mm | |
| 长度 | 2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 115 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 MCPH | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
宽度 1.6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.85mm | ||
典型关断延迟时间 45 ns | ||
典型输入电容值@Vds 430 pF @ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
尺寸 2 x 1.6 x 0.85mm | ||
长度 2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7.5 ns | ||