FCD380N60E , N沟道 MOSFET 晶体管, 10.2 A, Vds=600 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 774-1137
- 制造商零件编号:
- FCD380N60E
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 | Per Bag* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB22.40 | RMB112.00 |
| 25 - 120 | RMB16.60 | RMB83.00 |
| 125 - 245 | RMB13.70 | RMB68.50 |
| 250 - 495 | RMB12.10 | RMB60.50 |
| 500 + | RMB10.80 | RMB54.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-1137
- 制造商零件编号:
- FCD380N60E
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10.2 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 380 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | +30 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 高电压 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 106 W | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 1330 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 64 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10.2 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
最大漏源电阻值 380 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 +30 V | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 高电压 MOSFET | ||
最大功率耗散 106 W | ||
宽度 6.22mm | ||
典型输入电容值@Vds 1330 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 64 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 10 V | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
高度 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN