FDMS3668S, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 18 A, Vds=30 V, 8针 Power56封装
- RS 库存编号:
- 774-1171
- 制造商零件编号:
- FDMS3668S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB56.00
(不含税)
RMB63.30
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB11.20 | RMB56.00 |
| 25 - 120 | RMB9.60 | RMB48.00 |
| 125 - 245 | RMB8.00 | RMB40.00 |
| 250 - 495 | RMB7.60 | RMB38.00 |
| 500 + | RMB7.00 | RMB35.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 774-1171
- 制造商零件编号:
- FDMS3668S
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8.7 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 串行 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 典型接通延迟时间 | 7.7 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 19 ns | |
| 宽度 | 5.9mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 尺寸 | 5 x 5.9 x 1.1mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1325 pF @ 15 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 8.7 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1.1V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 串行 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
典型接通延迟时间 7.7 ns | ||
典型关断延迟时间 19 ns | ||
宽度 5.9mm | ||
长度 5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
尺寸 5 x 5.9 x 1.1mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1325 pF @ 15 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US