NTA4001NT1G , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.238 A, Vds=20 V, 3针 SC-75封装
- RS 库存编号:
- 780-0494P
- 制造商零件编号:
- NTA4001NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 200 - 400 | RMB0.50 |
| 500 - 900 | RMB0.45 |
| 1000 - 1900 | RMB0.343 |
| 2000 + | RMB0.322 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0494P
- 制造商零件编号:
- NTA4001NT1G
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 240 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 3.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | SOT-416 (SC-75) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 0.9mm | |
| 长度 | 1.65mm | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 11.5 pF @ 5 V | |
| 典型关断延迟时间 | 98 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 1.65 x 0.9 x 0.8mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 240 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 3.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 SOT-416 (SC-75) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 0.9mm | ||
长度 1.65mm | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
高度 0.8mm | ||
典型输入电容值@Vds 11.5 pF @ 5 V | ||
典型关断延迟时间 98 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 1.65 x 0.9 x 0.8mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||