NTD20P06LG , P沟道 MOSFET 晶体管, 15.5 A, Vds=-60 V, 3针 DPAK封装

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Packaging Options:
RS 库存编号:
780-0513
制造商零件编号:
NTD20P06LG
制造商:
ON Semiconductor
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品牌

ON Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

15.5 A

最大漏源电压

60 V

最大漏源电阻值

150 mΩ

最大栅源电压

-30 V、+30 V

封装类型

DPAK

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

65 W

每片芯片元件数目

1

长度

6.73mm

典型关断延迟时间

28 ns

典型输入电容值@Vds

740 pF @ -25 V

典型栅极电荷@Vgs

15 nC @ 5V

典型接通延迟时间

11 ns

尺寸

6.73 x 6.22 x 2.38mm

宽度

6.22mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+175 °C

高度

2.38mm