NTD20P06LG , P沟道 MOSFET 晶体管, 15.5 A, Vds=-60 V, 3针 DPAK封装
- RS 库存编号:
- 780-0513P
- 制造商零件编号:
- NTD20P06LG
- 制造商:
- ON Semiconductor
可享批量折扣
小计 20 件 (按管提供)*
RMB80.60
(不含税)
RMB91.00
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 20 - 40 | RMB4.03 |
| 50 - 90 | RMB3.59 |
| 100 - 190 | RMB3.24 |
| 200 + | RMB2.99 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 780-0513P
- 制造商零件编号:
- NTD20P06LG
- 制造商:
- ON Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 15.5 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 65 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 5V | |
| 典型关断延迟时间 | 28 ns | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
| 典型接通延迟时间 | 11 ns | |
| 高度 | 2.38mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 740 pF @ -25 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 15.5 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 65 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.22mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 15 nC @ 5V | ||
典型关断延迟时间 28 ns | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm | ||
典型接通延迟时间 11 ns | ||
高度 2.38mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 740 pF @ -25 V | ||